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[汽車之家 行業] 12月10日，比亞迪在浙江寧波發布了IGBT4.0技術。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”，是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

『第三代半導體材料SiC』

發布會現場，比亞迪還釋放了另一消息：企業已經成功研發了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。

『比亞迪SiC晶圓』

據悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領域的應用。比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代'殺手锏'，我們期望在加速、續航等性能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”

作為中國電動車企代表之一，比亞迪自2015年至2017年，連續三年蟬聯全球新能源汽車銷量冠軍。今年前10月，比亞迪已經累計銷售16.3萬輛新能源乘用車，距離20萬輛年銷量目標僅一步之遙。（文/汽車之家 章漣漪）